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FQI5N20LTU

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制造商编号:
FQI5N20LTU
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 4.5A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) I2PAK(TO-262)
规格说明书:
FQI5N20LTU说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.2 欧姆 @ 2.25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.2 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 325 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),52W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I2PAK(TO-262)
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装 50

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标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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