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FQD10N20CTM

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制造商编号:
FQD10N20CTM
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 7.8A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
规格说明书:
FQD10N20CTM说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 最后售卖
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 360 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 26 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 510 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
FQD10N20LTM onsemi ¥8.68000 MFR Recommended

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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥3.088001 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥7.261205 ¥7.26
10+ ¥6.407019 ¥64.07
100+ ¥4.910763 ¥491.08
500+ ¥3.882059 ¥1941.03
2500+ ¥3.088001 ¥7720.00

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