FQD10N20CTM
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- FQD10N20CTM
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- QFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 200 V 7.8A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
- 规格说明书:
- FQD10N20CTM说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | QFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 最后售卖 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 360 毫欧 @ 3.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 510 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 50W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-252AA |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FQD10N20LTM | onsemi | ¥8.68000 | MFR Recommended |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥3.088001 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥7.261205 | ¥7.26 |
10+ | ¥6.407019 | ¥64.07 |
100+ | ¥4.910763 | ¥491.08 |
500+ | ¥3.882059 | ¥1941.03 |
2500+ | ¥3.088001 | ¥7720.00 |