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FQB6N60TM
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- 制造商编号：
- FQB6N60TM
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 6.2A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- FQB6N60TM说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFBC30ASTRLPBF | Vishay Siliconix | ¥24.57000 | 类似 |
| STB4NK60ZT4 | STMicroelectronics | ¥16.13000 | 类似 |
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- 包装
- 卷带（TR）
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