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SI4963BDY-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI4963BDY-T1-E3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 4.9A 1.1W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- SI4963BDY-T1-E3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.9A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NVMD6P02R2G | onsemi | ¥4.01372 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.29965 | ￥12.30 |
| 10+ | ￥11.002762 | ￥110.03 |
| 100+ | ￥8.575888 | ￥857.59 |
| 500+ | ￥7.084517 | ￥3542.26 |
| 1000+ | ￥5.592974 | ￥5592.97 |
| 2500+ | ￥5.593005 | ￥13982.51 |
