BSZ065N03LSATMA1
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- 制造商编号:
- BSZ065N03LSATMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- OptiMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),26W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
- 规格说明书:
- BSZ065N03LSATMA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.5 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 670 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),26W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TSDSON-8-FL |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STL11N3LLH6 | STMicroelectronics | ¥12.06000 | 类似 |
RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.38000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥4.638679 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥10.406898 | ¥10.41 |
10+ | ¥9.185922 | ¥91.86 |
100+ | ¥7.041131 | ¥704.11 |
500+ | ¥5.56641 | ¥2783.20 |
1000+ | ¥4.638679 | ¥4638.68 |
5000+ | ¥4.638679 | ¥23193.40 |