在线客服 
NP100P06PDG-E1-AY
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- NP100P06PDG-E1-AY
- 制造商：
- Renesas瑞萨
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 60V 100A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 60 V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
- 规格说明书：
- NP100P06PDG-E1-AY说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Renesas(瑞萨) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 300 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 15000 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta），200W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥36.594755 | ￥36.59 |
| 10+ | ￥32.88458 | ￥328.85 |
| 100+ | ￥26.942419 | ￥2694.24 |
| 800+ | ￥22.935512 | ￥18348.41 |
| 1600+ | ￥20.976105 | ￥33561.77 |
