IRF7233TR
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- 制造商编号:
- IRF7233TR
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 12 V 9.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
- 规格说明书:
- IRF7233TR说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20 毫欧 @ 9.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 74 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6000 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FDS6375 | onsemi | ¥7.45000 | 类似 |
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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