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PHB21N06LT,118

Nexperia photo

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制造商编号:
PHB21N06LT,118
制造商:
Nexperia安世
系列:
TrenchMOS™
描述:
MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 55 V 19A(Tc) 56W(Tc) D2PAK
规格说明书:
PHB21N06LT,118说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Nexperia(安世)
系列 TrenchMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 70 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.4 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 650 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 56W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IRFZ24SPBF Vishay Siliconix ¥19.97000 类似
IRLZ24NSTRLPBF Infineon Technologies ¥10.60000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.824225 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥10.593402 ¥10.59
10+ ¥9.491787 ¥94.92
100+ ¥7.397228 ¥739.72
800+ ¥6.110714 ¥4888.57
1600+ ¥4.824225 ¥7718.76

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