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STL19N65M5
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- 制造商编号：
- STL19N65M5
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ V
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 2.3A（Ta），12.5A（Tc） 2.8W（Ta），90W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
- 规格说明书：
- STL19N65M5说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ V |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta），12.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 240 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1240 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），90W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（8x8）HV |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥13.936105 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥25.874259 | ￥25.87 |
| 10+ | ￥23.212232 | ￥232.12 |
| 100+ | ￥18.65881 | ￥1865.88 |
| 500+ | ￥15.329622 | ￥7664.81 |
| 1000+ | ￥13.936105 | ￥13936.10 |
