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IXTH10N100D2

IXYS photo

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制造商编号:
IXTH10N100D2
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Depletion
描述:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 1000 V 10A(Tc) 695W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXTH10N100D2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Depletion
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 200 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5320 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 695W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥150.564107 ¥150.56
10+ ¥138.352787 ¥1383.53
100+ ¥116.846479 ¥11684.65
500+ ¥103.94299 ¥51971.49

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