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CSD19537Q3T

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制造商编号:
CSD19537Q3T
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 50A(Ta) 2.8W(Ta),83W(Tc) 8-VSON(3.3x3.3)
规格说明书:
CSD19537Q3T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 14.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1680 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3)
封装/外壳 8-PowerVDFN
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.486364 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.56683 ¥15.57
10+ ¥13.884568 ¥138.85
100+ ¥10.822801 ¥1082.28
250+ ¥10.117295 ¥2529.32
500+ ¥8.940856 ¥4470.43
1000+ ¥7.486364 ¥7486.36

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