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NP83P04PDG-E1-AY

Renesas photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
NP83P04PDG-E1-AY
制造商:
Renesas瑞萨
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
详细描述:
表面贴装型 P 通道 40 V 83A(Tc) TO-263
规格说明书:
NP83P04PDG-E1-AY说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Renesas(瑞萨)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 83A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.3 毫欧 @ 41.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 200 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9820 pF @ 10 V
FET 功能 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥18.609051 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥27.30412 ¥27.30
800+ ¥20.347363 ¥16277.89
1600+ ¥18.609051 ¥29774.48

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