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BC857B/DG/B4R
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- 制造商编号：
- BC857B/DG/B4R
- 制造商：
- Nexperia安世
- 系列：
- -
- 描述：
- TRANSISTOR GEN PURP
- 详细描述：
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 250 mW 表面贴装型 TO-236AB
- 规格说明书：
- BC857B/DG/B4R说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Nexperia(安世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 125 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 250 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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