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TT8J1TR

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
TT8J1TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 12V 2.5A 1.25W 表面贴装型 8-TSST
规格说明书:
TT8J1TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 61 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1350pF @ 6V
功率 - 最大值 1.25W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装 8-TSST
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
QS8J2TR Rohm Semiconductor ¥7.60000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
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