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IRL100HS121

Infineon photo

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制造商编号:
IRL100HS121
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 11A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN 双通道(2x2)
规格说明书:
IRL100HS121说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 42 毫欧 @ 6.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 440 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 11.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-PQFN 双通道(2x2)
封装/外壳 6-PowerVDFN
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.481558 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥12.794144 ¥12.79
10+ ¥11.467482 ¥114.67
100+ ¥8.944089 ¥894.41
500+ ¥7.389047 ¥3694.52
1000+ ¥6.481558 ¥6481.56
4000+ ¥6.481558 ¥25926.23

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