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SQM120N04-1M7L_GE3
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- 制造商编号：
- SQM120N04-1M7L_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263
- 规格说明书：
- SQM120N04-1M7L_GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 285 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14606 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDB8441 | onsemi | ¥27.88000 | 类似 |
| NP109N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics America Inc | ¥27.80000 | 类似 |
| FDB9406-F085 | onsemi | ¥27.19000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥31.517129 | ￥31.52 |
| 10+ | ￥28.284486 | ￥282.84 |
| 100+ | ￥23.17552 | ￥2317.55 |
| 800+ | ￥19.728628 | ￥15782.90 |
| 1600+ | ￥17.827068 | ￥28523.31 |
