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SI4559ADY-T1-E3

Vishay photo

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制造商编号:
SI4559ADY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 60V 5.3A,3.9A 3.1W,3.4W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
SI4559ADY-T1-E3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.3A,3.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 58 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 665pF @ 15V
功率 - 最大值 3.1W,3.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.112114 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.666298 ¥15.67
10+ ¥13.98901 ¥139.89
100+ ¥10.904863 ¥1090.49
500+ ¥9.008644 ¥4504.32
1000+ ¥7.112139 ¥7112.14
2500+ ¥7.112114 ¥17780.28

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