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TK35N65W,S1F
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- 制造商编号：
- TK35N65W,S1F
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSIV
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 35A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
- 规格说明书：
- TK35N65W,S1F说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 2.1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4100 pF @ 300 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 270W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥65.564747 | ￥65.56 |
| 10+ | ￥59.210028 | ￥592.10 |
| 100+ | ￥49.019679 | ￥4901.97 |
| 500+ | ￥42.685546 | ￥21342.77 |
| 1000+ | ￥37.553258 | ￥37553.26 |
