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IXTD4N80P-3J
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- 制造商编号：
- IXTD4N80P-3J
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- PolarHV™
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 3.6A（Tc） 100W（Tc） 模具
- 规格说明书：
- IXTD4N80P-3J说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | PolarHV™ |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.4 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 750 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 标准包装 | 1 |
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- 包装
- 散装
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