PMV130ENEA/DG/B2R
![Nexperia photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Nexperia.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Nexperia/3e3w0lCO.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Nexperia/3e3w0lCO.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- PMV130ENEA/DG/B2R
- 制造商:
- Nexperia安世
- 系列:
- Automotive, AEC-Q101
- 描述:
- MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 40 V 2.1A(Ta) 5W(Tc) TO-236AB
- 规格说明书:
- PMV130ENEA/DG/B2R说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Nexperia(安世) |
系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 120 毫欧 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.6 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 170 pF @ 20 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PMV130ENEAR | Nexperia USA Inc. | ¥3.46000 | 直接 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
暂无报价 |
相关产品
P51-50-S-F-D-4.5V-000-000 Amphenol SSI Technologies
描述:SENSOR 50PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
价格:¥1177.96324