在线客服 
FQNL2N50BBU
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FQNL2N50BBU
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 500 V 350mA（Tc） 1.5W（Tc） TO-92-3
- 规格说明书：
- FQNL2N50BBU说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.3 欧姆 @ 175mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 230 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） |
| 标准包装 | 6,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 6,000 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥0 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 暂无报价 | ||
