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DMN61D8LVT-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMN61D8LVT-13
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 630mA 820mW 表面贴装型 TSOT-23
规格说明书:
DMN61D8LVT-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 630mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.8 欧姆 @ 150mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.74nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 12.9pF @ 12V
功率 - 最大值 820mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装 TSOT-23
标准包装 10,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
10,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥1.604154 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10000+ ¥1.604154 ¥16041.54

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