NTB110N65S3HF
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- 制造商编号:
- NTB110N65S3HF
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- FRFET®, SuperFET® III
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 650 V 30A(Tc) 240W(Tc) D²PAK-3(TO-263-3)
- 规格说明书:
- NTB110N65S3HF说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | FRFET®, SuperFET® III |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 110 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 740µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 62 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2635 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 240W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D²PAK-3(TO-263-3) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
STB30N65M5 | STMicroelectronics | ¥55.45000 | 类似 |
SIHB33N60ET1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥49.69000 | 类似 |
STB34NM60ND | STMicroelectronics | ¥91.39000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥34.150143 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥56.90845 | ¥56.91 |
10+ | ¥51.084566 | ¥510.85 |
100+ | ¥41.857986 | ¥4185.80 |
800+ | ¥35.633281 | ¥28506.62 |
1600+ | ¥34.150143 | ¥54640.23 |