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AIHD04N60RFATMA1
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- 制造商编号：
- AIHD04N60RFATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- -
- 描述：
- IC DISCRETE 600V TO252-3
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 600 V 8 A 75 W 表面贴装型 PG-TO252-3-313
- 规格说明书：
- AIHD04N60RFATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 12 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，4A |
| 功率 - 最大值 | 75 W |
| 开关能量 | 60µJ（开），50µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 27 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 12ns/116ns |
| 测试条件 | 400V，4A，43 欧姆，15V |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3-313 |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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