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STH315N10F7-6
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- 制造商编号：
- STH315N10F7-6
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK-6
- 规格说明书：
- STH315N10F7-6说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 180A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.3 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 315W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | H2PAK-6 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片） |
| 标准包装 | 1,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥36.643322 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥61.011528 | ￥61.01 |
| 10+ | ￥54.818367 | ￥548.18 |
| 100+ | ￥44.914407 | ￥4491.44 |
| 500+ | ￥38.23467 | ￥19117.33 |
| 1000+ | ￥36.643322 | ￥36643.32 |
