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FQD630TF
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- 制造商编号：
- FQD630TF
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 200 V 7A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） TO-252AA
- 规格说明书：
- FQD630TF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），46W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
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- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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