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IXFT60N65X2HV
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFT60N65X2HV
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Ultra X2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 60A（Tc） 780W（Tc） TO-268HV（IXFT）
- 规格说明书：
- IXFT60N65X2HV说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 108 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 780W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-268HV（IXFT） |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥77.728525 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥119.735279 | ￥119.74 |
| 10+ | ￥110.008497 | ￥1100.08 |
| 100+ | ￥92.91122 | ￥9291.12 |
| 500+ | ￥82.651286 | ￥41325.64 |
| 1000+ | ￥77.728525 | ￥77728.53 |
