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CSD88599Q5DCT

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制造商编号:
CSD88599Q5DCT
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIP
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 60V - 12W 表面贴装型 22-VSON-CLIP(5x6)
规格说明书:
CSD88599Q5DCT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.1 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4840pF @ 30V
功率 - 最大值 12W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 22-PowerTFDFN
供应商器件封装 22-VSON-CLIP(5x6)
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥30.597151 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥50.990071 ¥50.99
10+ ¥45.777918 ¥457.78
100+ ¥37.503377 ¥3750.34
250+ ¥35.580053 ¥8895.01
500+ ¥31.925877 ¥15962.94
1000+ ¥30.597151 ¥30597.15

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