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IXTN30N100L

IXYS photo

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制造商编号:
IXTN30N100L
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Linear
描述:
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
详细描述:
底座安装 N 通道 1000 V 30A(Tc) 800W(Tc) SOT-227B
规格说明书:
IXTN30N100L说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Linear
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 15A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 545 nC @ 20 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 13700 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 800W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥607.773352 ¥607.77
10+ ¥577.386964 ¥5773.87
100+ ¥537.53837 ¥53753.84

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