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APT80F60J
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- 制造商编号：
- APT80F60J
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS 8™
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
- 详细描述：
- 底座安装 N 通道 600 V 84A（Tc） 961W（Tc） ISOTOP®
- 规格说明书：
- APT80F60J说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS 8™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 84A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 598 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23994 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 961W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 1 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFN110N60P3 | IXYS | ¥294.05000 | 类似 |
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|---|---|---|
| 10+ | ￥615.078761 | ￥6150.79 |
