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CSD87335Q3DT

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制造商编号:
CSD87335Q3DT
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 25A
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 25A 6W 表面贴装型 8-LSON(3.3x3.3)
规格说明书:
CSD87335Q3DT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1050pF @ 15V
功率 - 最大值 6W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerLDFN
供应商器件封装 8-LSON(3.3x3.3)
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥11.062433 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥19.769376 ¥19.77
10+ ¥17.761355 ¥177.61
25+ ¥16.752495 ¥418.81
100+ ¥14.272744 ¥1427.27
250+ ¥13.401349 ¥3350.34
500+ ¥11.726075 ¥5863.04
1000+ ¥11.062433 ¥11062.43

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