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CSD13383F4T

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制造商编号:
CSD13383F4T
制造商:
TI德州仪器
系列:
FemtoFET™
描述:
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
详细描述:
表面贴装型 N 通道 12 V 2.9A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
规格说明书:
CSD13383F4T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 FemtoFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 44 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 291 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-XFDFN
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.328051 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥8.977038 ¥8.98
10+ ¥8.020896 ¥80.21
100+ ¥6.257443 ¥625.74
250+ ¥5.848901 ¥1462.23
500+ ¥5.169033 ¥2584.52
1000+ ¥4.328051 ¥4328.05

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