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BZX55B3V6 A0G

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
BZX55B3V6 A0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
详细描述:
二极管 - 齐纳 3.6 V 500 mW ±2% 通孔 DO-35
规格说明书:
BZX55B3V6 A0G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 带盒(TB)
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.6 V
容差 ±2%
功率 - 最大值 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 85 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 2 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1 V @ 100 mA
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装 DO-35
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
1N747A-1 WEC ¥15.89752 类似
1N5228B TR PBFREE Central Semiconductor Corp ¥3.76000 类似
1N5227BTR onsemi ¥1.23000 类似
BZX55C3V6-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥1.61000 类似
1N5228BTR onsemi ¥1.23000 类似

价格库存

库存
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货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
带盒(TB)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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