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STP55NF06
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- 制造商编号：
- STP55NF06
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- STripFET™ II
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP55NF06说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | STripFET™ II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFZ48NPBF | Infineon Technologies | ¥11.60000 | 类似 |
| IRFZ44EPBF | Infineon Technologies | ¥12.36000 | 类似 |
| FQP50N06L | onsemi | ¥14.28000 | 类似 |
| IRFZ44RPBF | Vishay Siliconix | ¥22.42000 | 类似 |
| IRFZ44VZPBF | Infineon Technologies | ¥17.13000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥7.811863 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥16.238242 | ￥16.24 |
| 10+ | ￥14.485109 | ￥144.85 |
| 100+ | ￥11.294033 | ￥1129.40 |
| 500+ | ￥9.329703 | ￥4664.85 |
| 1000+ | ￥7.811863 | ￥7811.86 |
