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SI4965DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4965DY-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 8V - 2W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- SI4965DY-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 8V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥5.07000 | 类似 |
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- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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