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PSMN3R0-60ES,127
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- 制造商编号：
- PSMN3R0-60ES,127
- 制造商：
- Nexperia安世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 100A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
- 规格说明书：
- PSMN3R0-60ES,127说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Nexperia(安世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8079 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 306W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDI030N06 | onsemi | ¥39.93000 | 类似 |
| IRFSL3206PBF | Rochester Electronics, LLC | ¥16.05354 | 类似 |
| IPI029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | ¥20.43000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥0 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
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