SIHA15N65E-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SIHA15N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- E
- 描述:
- MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 15A(Tc) 34W(Tc) TO-220 整包
- 规格说明书:
- SIHA15N65E-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | E |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 280 毫欧 @ 8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 96 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2460 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 34W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 整包 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPA60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥22.04000 | 类似 |
SPA20N60CFDXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥16.83035 | 类似 |
R6015ENX | Rohm Semiconductor | ¥14.82000 | 类似 |
FCPF290N80 | Rochester Electronics, LLC | ¥38.63000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥29.14622 | ¥29.15 |
10+ | ¥26.174605 | ¥261.75 |
100+ | ¥21.443958 | ¥2144.40 |
500+ | ¥18.254881 | ¥9127.44 |
1000+ | ¥16.495302 | ¥16495.30 |