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IPB50R299CPATMA1
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- 制造商编号：
- IPB50R299CPATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 550 V 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-3-2
- 规格说明书：
- IPB50R299CPATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 550 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 299 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 440µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1190 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | ¥34.40000 | 直接 |
| IXTA460P2 | IXYS | ¥43.01000 | 类似 |
| FDB20N50F | onsemi | ¥27.72000 | 类似 |
| STB18N60M2 | STMicroelectronics | ¥23.42000 | 类似 |
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- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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