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TPN8R903NL,LQ
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- 制造商编号：
- TPN8R903NL,LQ
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- U-MOSVIII-H
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
- 规格说明书：
- TPN8R903NL,LQ说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 820 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta），22W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-TSON Advance（3.1x3.1） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | ¥4.76000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.434866 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.689261 | ￥6.69 |
| 10+ | ￥5.891025 | ￥58.91 |
| 100+ | ￥4.517365 | ￥451.74 |
| 500+ | ￥3.571145 | ￥1785.57 |
| 1000+ | ￥2.856911 | ￥2856.91 |
| 3000+ | ￥2.589067 | ￥7767.20 |
| 6000+ | ￥2.434866 | ￥14609.20 |
