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BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
BSM180D12P3C007
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
SIC POWER MODULE
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 1200V(1.2kV) 180A(Tc) 880W 表面贴装型 模块
规格说明书:
BSM180D12P3C007说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 50mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 900pF @ 10V
功率 - 最大值 880W
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 12

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
12 / PCS
包装
散装
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4930.62401 ¥4930.62

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