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IXTH12N65X2

IXYS photo

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制造商编号:
IXTH12N65X2
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Ultra X2
描述:
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 12A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
规格说明书:
IXTH12N65X2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Ultra X2
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 300 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1100 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 180W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥26.308166 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥51.089539 ¥51.09
10+ ¥45.918417 ¥459.18
100+ ¥37.620377 ¥3762.04
500+ ¥32.025818 ¥16012.91
1000+ ¥27.009693 ¥27009.69
2000+ ¥26.308166 ¥52616.33

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