SUP90N06-5M0P-E3
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- 制造商编号:
- SUP90N06-5M0P-E3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 60 V 90A(Tc) 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220AB
- 规格说明书:
- SUP90N06-5M0P-E3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 160 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6190 pF @ 30 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.75W(Ta),300W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies | ¥18.20000 | 类似 |
IPP052N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥13.82000 | 类似 |
N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America Inc | ¥15.67000 | 类似 |
AOT266L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥19.43000 | 类似 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥17.59000 | 类似 |
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