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STGP20M65DF2

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制造商编号:
STGP20M65DF2
制造商:
ST意法半导体
系列:
M
描述:
IGBT TRENCH 650V 40A TO220
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 40 A 166 W 通孔 TO-220
规格说明书:
STGP20M65DF2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 M
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,20A
功率 - 最大值 166 W
开关能量 140µJ(开),560µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 63 nC
25°C 时 Td(开/关)值 26ns/108ns
测试条件 400V,20A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 166 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥25.031326 ¥25.03
10+ ¥22.497417 ¥224.97
100+ ¥18.080003 ¥1808.00
500+ ¥14.854724 ¥7427.36
1000+ ¥14.013838 ¥14013.84

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