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BSM180C12P2E202

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
BSM180C12P2E202
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
详细描述:
底座安装 N 通道 1200 V 204A(Tc) 1360W(Tc) 模块
规格说明书:
BSM180C12P2E202说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 托盘
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 204A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 35.2mA
Vgs(最大值) +22V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 20000 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1360W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 模块
封装/外壳 模块
标准包装 4

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4 / PCS
包装
托盘
单价:¥5729.127951 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥5729.127951 ¥5729.13

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