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UM6J1NTN

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
UM6J1NTN
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 200mA 150mW 表面贴装型 UMT6
规格说明书:
UM6J1NTN说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 30pF @ 10V
功率 - 最大值 150mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 UMT6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.901398 ¥4.90
10+ ¥4.000909 ¥40.01
100+ ¥2.720618 ¥272.06
500+ ¥2.040669 ¥1020.33
1000+ ¥1.53041 ¥1530.41
3000+ ¥1.402905 ¥4208.72
6000+ ¥1.317895 ¥7907.37

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