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SQR40N10-25_GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SQR40N10-25_GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 40A(Tc) 136W(Tc) TO-252(DPAK)反向引线
规格说明书:
SQR40N10-25_GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 70 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3380 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 136W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252(DPAK)反向引线
封装/外壳 TO-252-4,DPak(3 引线 + 接片)
标准包装 2,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
PHB47NQ10T,118 Nexperia USA Inc. ¥16.13000 类似
FDB86102LZ onsemi ¥13.21000 类似

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库存
0
货期
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标准包装
2,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥21.885312 ¥21.89
10+ ¥19.652326 ¥196.52
100+ ¥15.792646 ¥1579.26
500+ ¥12.975118 ¥6487.56
1000+ ¥11.121614 ¥11121.61
2000+ ¥11.121614 ¥22243.23

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