SQR40N10-25_GE3
![Vishay photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Vishay Siliconix.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/6f68oDUM.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Vishay/6f68oDUM.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SQR40N10-25_GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 100 V 40A(Tc) 136W(Tc) TO-252(DPAK)反向引线
- 规格说明书:
- SQR40N10-25_GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 70 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3380 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 136W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-252(DPAK)反向引线 |
封装/外壳 | TO-252-4,DPak(3 引线 + 接片) |
标准包装 | 2,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PHB47NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | ¥16.13000 | 类似 |
FDB86102LZ | onsemi | ¥13.21000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥21.885312 | ¥21.89 |
10+ | ¥19.652326 | ¥196.52 |
100+ | ¥15.792646 | ¥1579.26 |
500+ | ¥12.975118 | ¥6487.56 |
1000+ | ¥11.121614 | ¥11121.61 |
2000+ | ¥11.121614 | ¥22243.23 |