PSMN1R7-60BS,118
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- 制造商编号:
- PSMN1R7-60BS,118
- 制造商:
- Nexperia安世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 60 V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
- 规格说明书:
- PSMN1R7-60BS,118说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Nexperia(安世) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 137 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 9997 pF @ 30 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 306W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥58.60000 | 类似 |
STH260N6F6-2 | STMicroelectronics | ¥53.76000 | 类似 |
NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics America Inc | ¥31.41000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥21.502554 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥38.009423 | ¥38.01 |
10+ | ¥34.116473 | ¥341.16 |
100+ | ¥27.953401 | ¥2795.34 |
800+ | ¥23.796174 | ¥19036.94 |
1600+ | ¥21.502554 | ¥34404.09 |
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