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    APT40GP90BG

    Microchip photo

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    制造商编号：
    APT40GP90BG
    制造商：
    Microchip微芯
    系列：
    POWER MOS 7®
    描述：
    IGBT 900V 100A 543W TO247
    详细描述：
    IGBT PT 900 V 100 A 543 W 通孔 TO-247 [B]
    规格说明书：
    APT40GP90BG说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Microchip(微芯)
    系列 POWER MOS 7®
    包装 管件
    零件状态 在售
    IGBT 类型 PT
    电压 - 集射极击穿（最大值） 900 V
    电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100 A
    电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
    不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） 3.9V @ 15V，40A
    功率 - 最大值 543 W
    开关能量 825µJ（关）
    输入类型 标准
    栅极电荷 145 nC
    25°C 时 Td（开/关）值 16ns/75ns
    测试条件 600V，40A，5 欧姆，15V
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 通孔
    封装/外壳 TO-247-3
    供应商器件封装 TO-247 [B]
    标准包装 1

    价格库存

    库存
    0
    货期

    大陆：7~10天送达

    标准包装
    1 / PCS
    包装
    管件
    单价：￥151.627386 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    1+ ￥151.627386 ￥151.63

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