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CSD87334Q3D

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制造商编号:
CSD87334Q3D
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)非对称型 30V 20A 6W 表面贴装型 8-VSON(3.3x3.3)
规格说明书:
CSD87334Q3D说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 12A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1260pF @ 15V
功率 - 最大值 6W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-VSON(3.3x3.3)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.970988 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥7.970988 ¥19927.47

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