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STGFW80V60F

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制造商编号:
STGFW80V60F
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 120A 79W TO-3PF
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 120 A 79 W 通孔 TO-3PF
规格说明书:
STGFW80V60F说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 240 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,80A
功率 - 最大值 79 W
开关能量 1.8mJ(开),1mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 448 nC
25°C 时 Td(开/关)值 60ns/220ns
测试条件 400V,80A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3 整包
供应商器件封装 TO-3PF
标准包装 30

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型号 品牌 参考价格 说明
IXXH50N60B3D1 IXYS ¥94.54000 类似

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥56.286287 ¥56.29
10+ ¥50.867392 ¥508.67
100+ ¥42.116801 ¥4211.68

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